龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：芯联集成电路制造股份有限公司
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：衬底；层间介质层，覆盖衬底；接触孔，自层间介质层的表面延伸至伸入衬底内；第一粘合层，覆盖接触孔的底壁及侧壁；导电插塞，填充接触孔；第二粘合层，形成于层间介质层及导电插塞的表面，第二粘合层的硬度大于第一粘合层的硬度；以及，金属电极层，覆盖第二粘合层。利用第二粘合层作为金属电极层与层间介质层之间的结合层，由于第二粘合层的硬度大于第一粘合层的硬度，可有效阻隔金属电极层对衬底的影响，因此可以提高打线强度，同时，在形成第二粘合层时，先去除层间介质层上的第一粘合层，第二粘合层不会因与第一粘合层之间结合力差而容易剥落，由此可以保证器件性能。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供一衬底，并在所述衬底上形成层间介质层；刻蚀所述层间介质层及所述衬底并停止在所述衬底内以形成接触孔；形成第一粘合层，所述第一粘合层覆盖所述接触孔的底壁及侧壁，并延伸至覆盖所述衬底的表面；在所述接触孔中填充导电材料，以形成导电插塞；刻蚀去除所述层间介质层表面的所述第一粘合层；形成第二粘合层，所述第二粘合层覆盖所述层间介质层的表面及所述导电插塞，所述第二粘合层的硬度大于所述第一粘合层的硬度；沉积金属电极材料，所述金属电极材料覆盖所述第二粘合层的表面；以及，刻蚀所述金属电极材料以形成金属电极层，以及刻蚀去除暴露出的所述第二粘合层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 芯联集成电路制造股份有限公司 一种半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号