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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本公开实施例提供一种半导体器件及其形成方法、存储器，其中，半导体器件的形成方法包括：提供基底；基底的表面形成有沟道层；在沟道层沿第一方向的两端分别形成第一金属层和第二金属层；第一金属层和第二金属层均覆盖沟道层的侧壁和顶表面、以及基底的表面；在部分沟道层的表面形成第一栅极结构；第一方向为基底所在平面内的任意一个方向。
主权项：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供基底；所述基底的表面形成有沟道层；在所述沟道层沿第一方向的两端分别形成第一金属层和第二金属层；所述第一金属层和所述第二金属层均覆盖所述沟道层的侧壁和顶表面、以及所述基底的表面；在部分所述沟道层的表面形成第一栅极结构；所述第一方向为所述基底所在平面内的任意一个方向。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 半导体器件及其形成方法、存储器
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