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申请/专利权人：深圳市辰中科技有限公司
摘要：本发明提供了一种晶圆量测机台，所述晶圆量测机台预先存储标记图形，在进行量测时，所述晶圆量测机台扫描识别晶圆的切割道图形区域的图形，当所述切割道图形区域的图形与预先存储的所述标记图形一致，所述晶圆量测机台的量测端对准至所述切割道图形区域来进行量测，所述晶圆的切割道结构包括切割道主体；制程检测区域，设于所述切割道主体上，且所述制程检测区域内设置有制程检测图形；以及密度补偿区域，位于所述制程检测区域的周围，所述密度补偿区域设置有密度补偿图形。本发明光罩上的第一图案与第二图案可转移到晶圆上，以得到晶圆的切割道结构，量测机台基于此切割道结构可准确量测出晶圆上芯片单元的尺寸数据，从而获取真实的制程结果。
主权项：1.一种晶圆量测机台，其特征在于，所述晶圆量测机台预先存储标记图形，在进行量测时，所述晶圆量测机台扫描识别晶圆的切割道图形区域的图形，当所述切割道图形区域的图形与预先存储的所述标记图形一致，所述晶圆量测机台的量测端对准至所述切割道图形区域来进行量测，所述晶圆的切割道结构包括：切割道主体，形成于所述晶圆的相邻两个芯片单元之间；制程检测区域，设于所述切割道主体上，且所述制程检测区域内设置有制程检测图形；以及密度补偿区域，设于所述切割道主体上，位于所述制程检测区域的周围，所述密度补偿区域设置有密度补偿图形，所述密度补偿图形设置有多个，多个所述密度补偿图形等距分布于所述制程检测图形的两侧，所述密度补偿图形处沿着所述切割道主体的厚度方向刻蚀有沟槽；其中，所述制程检测区域与所述密封补偿区域组成切割道图形区域，所述切割道图形区域的图形密度大于所述制程检测区域的图形密度，且所述切割道图形区域的图形密度与所述芯片单元的图形密度相同；所述制程检测图形设置有多个，多个所述制程检测图形沿着所述切割道主体的长度方向等距排列，所述制程检测图形为多个检测线段首尾相连形成的矩形；所述密度补偿图形为多个补偿线段首尾相连形成的矩形，所述补偿线段的长度表示为L，2μm≤L≤20μm，所述密度补偿图形与所述切割道主体的长度方向之间形成倾斜角。
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权利要求：
百度查询： 深圳市辰中科技有限公司 一种晶圆量测机台
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