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一种椭球形纳米激光微腔的制备方法 

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申请/专利权人:电子科技大学

摘要:本发明公开了一种椭球形纳米激光微腔的制备方法,属于纳米半导体材料领域。本发明首先在ZnO纳米棒阵列表面生长PTCDA辅助层,然后利用ZnO纳米棒缺陷多的部位在快速升温过程中容易蒸发的特性,以及MoOx材料的蒸发沉积特性,制备ZnO‑MoOx椭球形纳米微腔。本发明的原理科学,所需的ZnO纳米棒阵列、MoOx材料的制备工艺简单,反应条件温和,原料和设备的成本较低;同时,与ZnO纳米棒材料相比,ZnO‑MoOx椭球形纳米微腔具有更低的激射阈值。本发明的原理和方法有望应用于纳米激光、纳米光电子学,具有巨大的推广应用价值。

主权项:1.一种椭球形纳米激光微腔的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.制备ZnO纳米棒阵列;S2.生长PTCDA辅助层;将长有ZnO纳米棒阵列的基片浸入3,4,9,10-四羧酸酐溶液中,使PTCDA吸附在ZnO纳米棒阵列表面,得到长有PTCDA-ZnO纳米棒阵列样品;S3.制备ZnO-MoOx椭球形纳米微腔;称取足量三氧化钼粉末;将PTCDA-ZnO纳米棒阵列样品正面朝下放置于三氧化钼粉末正上方;然后在保护气体环境下加热,加热方式为:10-15分钟内快速升温至600-700℃,并保持该温度5-30分钟,使MoOx材料蒸发沉积在PTCDA-ZnO纳米棒阵列上,同时ZnO纳米棒的薄弱处被蒸发;最后自然冷却至室温,得到ZnO-MoOx椭球形纳米微腔。

全文数据:

权利要求:

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