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申请/专利权人：株洲艾森达新材料科技有限公司
摘要：本发明公开了低能耗低VOC氮化硅超薄基板的流延成型方法，涉及氮化硅陶瓷流延成型技术领域，其包括以下步骤：S1.改性剂和乙基纤维素经改性成为改性乙基纤维素；所述改性剂为对苯二甲酸二辛酯；S2.将研磨球、氮化硅粉体、混合烧结助剂、分散剂、溶剂和改性乙基纤维素，经混合球磨后形成浆料；S3.将浆料进行脱泡处理，在23~27℃、28~32℃、33~37℃、38~42℃四个温度下依次进行流延成型得到氮化硅薄板生瓷，再经排胶、烧结即得到低VOC氮化硅超薄基板。该方法得到的基板厚度公差小、单片极差小、流平性好，表面光滑、无裂纹，固含量高达63~65%。
主权项：1.低能耗低VOC氮化硅超薄基板的流延成型方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.改性剂和乙基纤维素经改性成为改性乙基纤维素；所述改性剂为对苯二甲酸二辛酯；所述改性的操作为在反应釜中35~40℃温度下搅拌4~6h；所述乙基纤维素和改性剂的质量比为75~80：20~25；S2.将研磨球、氮化硅粉体、混合烧结助剂、分散剂、溶剂和改性乙基纤维素，经混合球磨后形成浆料；所述分散剂为油酸、油酸聚氧乙烯酯、Solsperse17000的一种或多种；所述混合烧结助剂为Ho2O3和MgF2；按质量份计，所述浆料包括50~60份氮化硅粉体、5~7份混合烧结助剂、0.1~0.6份分散剂、15~24.4份溶剂和10~15份改性乙基纤维素；S3.将浆料进行脱泡处理，在23~27℃、28~32℃、33~37℃、38~42℃四个温度下依次进行流延成型得到氮化硅超薄基板生瓷，再经排胶、烧结即得到低能耗低VOC氮化硅超薄基板；所述流延成型的时间为在每个温度下依次进行4~6h。
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百度查询： 株洲艾森达新材料科技有限公司 低能耗低VOC氮化硅超薄基板的流延成型方法
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