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申请/专利权人：山东大学
摘要：本发明属于碳化硅MOSFET功率器件技术领域，具体涉及一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构，位于场限环区域中的N型碳化硅外延层表面为斜面结构，斜面结构与水平面的倾角为2°～6°，在斜面结构表面通过离子注入形成若干个场限环。本发明终端结构可以使得元胞区域耗尽区、结终端扩展区域耗尽区和场限环区域的耗尽区更好地拓展到后端的场限环，延长了场限环区域的耗尽区，使得元胞区域、结终端扩展区域和场限环区域的电场分布更加均匀，缓解了电场集中的现象，提高了碳化硅MOSFET功率器件的击穿电压，并且减小了界面固定电荷密度增大导致击穿电压降低的幅度，使得器件的可靠性进一步提高。
主权项：1.一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构，所述终端结构包括结终端扩展区域（C2）和场限环区域（C3），所述结终端扩展区域（C2）位于碳化硅MOSFET功率器件的元胞区域（C1）外侧，所述场限环区域（C3）位于所述结终端扩展区域（C2）外侧，所述场限环区域（C3）中含有N型碳化硅外延层（3）的一部分，其特征在于：位于所述场限环区域（C3）中的N型碳化硅外延层（3）表面为斜面结构，斜面结构与水平面的倾角为2°～6°，在所述斜面结构表面通过离子注入形成若干个场限环（11）。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东大学 一种碳化硅MOSFET功率器件终端结构
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