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申请/专利权人：香港商莫斯飞特半导体有限公司
摘要：一种分裂闸型沟槽半导体功率器件的制备方法，包括以下步骤：在N型外延层上通过蚀刻形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底壁上形成介质层后填入导电材料，形成第一种沟槽；刻蚀掉至少一个所述第一种沟槽的上部分的导电材料后，在所述上部分的底壁和侧壁上形成介质层后填入导电材料，形成第二种沟槽；在所述N型外延层上形成P型基区、N型区以及N+型源区；在N型外延层上形成源区金属垫层、栅极连线和终端区场板。本发明的分裂闸型沟槽半导体功率器件的制备方法，只用单层外延层加上离子注入便可以制作出质量高和可靠性好的分裂闸型沟槽半导体功率器件，更加节省芯片面积，适用于不同几何图形设计的单元，提高了半导体器件的性能价格比。
主权项：1.一种分裂闸型沟槽半导体功率器件的制备方法，包括以下步骤：在N型外延层上通过蚀刻形成沟槽；在所述沟槽的侧壁和底壁上形成介质层后填入导电材料，形成第一种沟槽；刻蚀掉至少一个所述第一种沟槽的上部分的导电材料后，在所述上部分的底壁和侧壁上形成介质层后填入导电材料，形成第二种沟槽；在N型外延层上形成P型基区、N型区以及N+型源区，所述N型区位于所述P型基区下、沟槽之间；其中，在N型外延层上形成N型区的步骤包括：在形成沟槽前，采用高能离子向N型外延层的源区注入N型掺杂剂，形成N型区；或在形成P型基区时，采用高能离子向N型外延层的源区注入N型掺杂剂，形成N型区；或在形成N+型源区时，采用高能离子向N型外延层的源区注入N型掺杂剂，形成N型区；或在不同步骤中采用不同能量和剂量的离子分别注入，然后合成为最终的N型区；所述形成N型区的步骤，是与所述P型基区在同一掩膜下进行，使N型区的浓度高于N型外延层浓度；其中，在形成N型区时，通过高温扩散处理使高能注入掺杂的N型掺杂剂扩散到距表面1.0μm和至所述第一种沟槽底的深度；在N型外延层上形成源区金属垫层、栅极连线和终端区场板。
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