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申请/专利权人：华北电力大学
摘要：本申请涉及一种独立调温的压接型IGBT器件结温梯度测量装置，所述装置包括两组控温测量单元、位于两组控温测量单元之间的并联母排以及连接并联母排的电源组件；所述控温测量单元包括IGBT器件、IGBT压接腔、IGBT压装平台、加热台以及控温器。该装置通过两组控温测量单元以模拟高温侧和低温侧环境，并通过分别独立控制控温测量单元的温度，以实现更准确的模拟压接型IGBT器件内部结温的不均匀分布，实现不同芯片的准确温度控制，可以满足芯片温度的定制化性需求，保证了芯片加热精度，提高了结果准确性；同时该装置不需要破坏原有封装结构，其极大的降低了实验复杂程度，真实模拟了结温环境，进一步提高了结果精度。
主权项：1.一种独立调温的压接型IGBT器件结温梯度测量装置，其特征在于，所述装置包括两组控温测量单元、位于两组控温测量单元之间的并联母排以及连接并联母排的电源组件；所述控温测量单元包括：IGBT器件，采用单芯片封装；IGBT压接腔，用于对IGBT器件进行固定以及控制IGBT器件开关；IGBT压装平台，用于对IGBT压接腔进行固定并模拟IGBT器件压接环境；加热台，置于IGBT压装平台中部，且所述加热台位于IGBT器件下方，所述加热台用于对IGBT器件所处位置进行加热，以模拟压接时的温度环境；控温器，通过导线连接加热台，所述控温器用于独立控制加热台的加热温度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华北电力大学 一种独立调温的压接型IGBT器件结温梯度测量装置
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