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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：本申请实施例公开了一种半导体器件、半导体器件的制作方法及半导体设备，该半导体器件包括第一管芯，该第一管芯包括第一键合层；其中，第一键合层包括第一连接结构以及第一金属环，第一金属环围绕至少一第一连接结构设置。本申请实施例提供的半导体器件通过在第一管芯的第一键合层设置环绕至少一个第一连接结构的第一金属环，可以将第一管芯置于交变磁场中，以对第一连接结构均匀发热并与其它管芯的连接结构键合，而第一管芯的绝缘材料维持较低的温度，以降低半导体器件的第一管芯内部因高温产生应力而导致变形甚至断裂的风险。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：第一管芯，所述第一管芯包括第一键合层；其中，所述第一键合层包括第一连接结构以及第一金属环，所述第一金属环围绕至少一所述第一连接结构设置。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 半导体器件、半导体器件的制作方法及半导体设备
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