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申请/专利权人：安世有限公司
摘要：半导体装置200包括：管芯源极端222、管芯漏极端224和管芯栅极端226；半导体管芯202；提供于该半导体管芯上的绝缘栅极耗尽型晶体管203，该绝缘栅极耗尽型晶体管包括耗尽源极端204、耗尽漏极端206和耗尽栅极端208，其中该耗尽漏极端耦合到该管芯漏极端且该耗尽栅极端耦合到该管芯源极端；增强型晶体管213，该增强型晶体管213包括增强源极端214、增强漏极端216和增强栅极端218，其中该增强源极端耦合到该管芯源极端，该增强栅极端耦合到该管芯栅极端并且该增强漏极端耦合到该耗尽源极端；以及箝位电路230，该箝位电路230耦合在该耗尽源极端与该耗尽栅极端之间。
主权项：1.一种半导体装置，包括：管芯源极端、管芯漏极端和管芯栅极端；半导体管芯；提供于所述半导体管芯上的绝缘栅极耗尽型晶体管，所述绝缘栅极耗尽型晶体管包括耗尽源极端、耗尽漏极端和耗尽栅极端，其中所述耗尽漏极端耦合到所述管芯漏极端并且所述耗尽栅极端耦合到所述管芯源极端；增强型晶体管，所述增强型晶体管包括增强源极端、增强漏极端和增强栅极端，其中所述增强源极端耦合到所述管芯源极端，所述增强栅极端耦合到所述管芯栅极端并且所述增强漏极端耦合到所述耗尽源极端；以及箝位电路，所述箝位电路耦合在所述耗尽源极端与所述耗尽栅极端之间，其中所述箝位电路包括二极管电路，并且其中所述二极管电路具有耦合到所述耗尽源极端的阳极以及耦合到所述耗尽栅极端的阴极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 安世有限公司 半导体装置以及相关联的方法
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