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遮蔽半导体防紫外线的方法以及结构 

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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司

摘要:本发明提供一种遮蔽半导体防紫外线的方法以及结构。晶体管包括在其半导体层上方的有色光遮蔽层。有色光遮蔽层会减少半导体层暴露于波长为约10纳米至约400纳米的辐射。有色光遮蔽层可具有白色、黑色、红色、黄色或者灰色。金属氧化膜、P型氧化物半导体或者钙钛矿可形成有色光遮蔽层。有色光遮蔽层会减少在工艺期间由于紫外线暴露可能在半导体层中产生的缺陷,提高装置的性能以及可靠性。

主权项:1.一种晶体管,其特征在于,包括在半导体层上方的有色光遮蔽层,其中所述有色光遮蔽层会减少所述半导体层暴露于约10纳米至约400纳米波长的辐射;并且其中所述有色光遮蔽层具有白色、黑色、红色、黄色或灰色。

全文数据:

权利要求:

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