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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置；所述方法为：达到热平衡后，施加不大于最大工作电流密度值5%的初始电流密度获得电致发光光谱；对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合，计算温度修正系数；在任意工作状态下，再次采集电致发光光谱，对满足要求的电致发光光谱数据进行非线性函数的最小二乘法拟合，并结合，获得待测的半导体电致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度。所述装置包括积分球、光纤和光谱仪。本发明采用非接触式测量方法，不受器件封装影响，提高了测量的准确性和可靠性。
主权项：1.一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法，其特征在于，所述方法应用于基于电致发光光谱的半导体温度测量装置，包括以下步骤：（1）在已知环境温度下，当待测的半导体电致发光器件与已知环境温度达到热平衡后，对待测的半导体电致发光器件施加不大于最大工作电流密度值5%的初始电流密度，使用光谱仪采集电致发光光谱强度集合，并保留不小于最大电致发光光谱强度的电致发光光谱强度，得到电致发光光谱强度集合；（2）根据电致发光光谱强度集合，通过最小二乘法对第一非线性函数进行多参数拟合，获取待测的半导体电致发光器件中半导体的温度修正系数，所述第一非线性函数为： （1）；其中，为玻尔兹曼常数；、和分别表示初始电流密度下的比例系数、半导体的光学带隙宽度和导体的乌尔巴赫能量；表示中任意一个电致发光光谱强度，表示对应的光子能量；（3）随后对待测的半导体电致发光器件施加目标电流密度，使用光谱仪采集电致发光光谱强度集合，并保留不小于最大电致发光光谱强度的电致发光光谱强度，得到电致发光光谱强度集合；（4）根据电致发光光谱强度集合，通过最小二乘法对第二非线性函数进行多参数拟合，获得待测的半导体电致发光器件中半导体在目标电流密度下的温度；所述第二非线性函数为： （2）；其中，、和分别表示目标电流密度下的比例系数、半导体的光学带隙宽度和半导体的乌尔巴赫能量；表示中任意一个电致发光光谱强度，表示对应的光子能量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种基于电致发光光谱的半导体温度测量方法与装置
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