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申请/专利权人：季华实验室
摘要：本申请涉及一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，该方法包括：建立单光子雪崩二极管仿真模型进行仿真计算；基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值；所述性能参数值包括光子探测效率和或暗计数；对所述单光子雪崩二极管不同位置的所述性能参数值进行线积分计算；确定线积分计算结果为所述单光子雪崩二极管的性能参数值。本申请提供的一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，能够更好的反映SPAD横向不同长度部位的光子探测效率和或暗计数的分布，并且能够获得符合实际的光子探测效率和或暗计数。
主权项：1.一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法，其特征在于，包括：建立单光子雪崩二极管仿真模型进行仿真计算；基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值；所述性能参数值包括光子探测效率和或暗计数；对所述单光子雪崩二极管不同位置的所述性能参数值进行线积分计算；确定线积分计算结果为所述单光子雪崩二极管的性能参数值；所述基于所述仿真计算的结果，得出沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上不同位置的性能参数值，包括：基于所述仿真计算的结果，获取沿着所述单光子雪崩二极管长度方向上，在同一位置处不同高度对应的雪崩触发概率数据；根据所述雪崩触发概率数据，确定所述单光子雪崩二极管在对应位置的性能参数值；所述根据所述雪崩触发概率数据，确定所述单光子雪崩二极管在对应位置的性能参数值，包括：获取在所述同一位置处雪崩触发概率数据沿着高度值变化的曲线；从所述曲线上确定对所述雪崩触发概率数据进行线积分计算时的积分上限和积分下限；根据所述积分上限和所述积分下限，对所述同一位置处不同高度对应的雪崩触发概率数据进行线积分计算；根据所述线积分计算的结果，确定所述单光子雪崩二极管在对应位置的性能参数值；所述单光子雪崩二极管的性能参数值P满足如下关系式： 其中，定义所述单光子雪崩二极管的长度方向为y轴，P1y为所述单光子雪崩二极管不同长度位置的性能参数值，y0和y1分别为y轴上所述P1y中非零性能参数值的起始位置数值和终止位置数值。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 季华实验室 一种单光子雪崩二极管性能参数的计算方法
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