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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：本发明提供了一种半导体装置，包括：低浓度N型区域；第一高浓度N型区域和第二高浓度N型区域，它们隔着插入在它们中间的所述低浓度N型区域层叠，并且具有比所述低浓度N型区域更高的杂质浓度；栅极电极，当从作为所述低浓度N型区域、所述第一高浓度N型区域和所述第二高浓度N型区域层叠的方向的层叠方向观察时，所述栅极电极围绕所述低浓度N型区域；第一绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述低浓度N型区域之间；和第二绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述第一高浓度N型区域之间，其中所述第一高浓度N型区域连接至所述源极电极和所述漏极电极中的一者，且所述第二高浓度N型区域连接至所述源极电极和所述漏极电极中的另一者。
主权项：1.一种半导体装置，包括：低浓度N型区域；第一高浓度N型区域和第二高浓度N型区域，所述第一高浓度N型区域和所述第二高浓度N型区域隔着插入在它们中间的所述低浓度N型区域层叠，并且所述第一高浓度N型区域和所述第二高浓度N型区域具有比所述低浓度N型区域更高的杂质浓度；栅极电极，当从层叠方向观察时所述栅极电极围绕所述低浓度N型区域，所述层叠方向是所述低浓度N型区域、所述第一高浓度N型区域和所述第二高浓度N型区域层叠的方向；第一绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述低浓度N型区域之间；和第二绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述第一高浓度N型区域之间，其中，所述第一高浓度N型区域连接至源极电极和漏极电极中的一者；并且所述第二高浓度N型区域连接至所述源极电极和所述漏极电极中的另一者，其中，所述第一高浓度N型区域被形成为包括面向区域，所述面向区域是隔着设置在所述面向区域与所述低浓度N型区域之间的所述栅极电极面对着所述低浓度N型区域的区域；并且所述半导体装置包括布置在所述面向区域与所述栅极电极之间的第三绝缘膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 半导体装置和固体摄像元件
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