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申请/专利权人：横店集团东磁股份有限公司;金华市磁盟知识产权服务有限公司
摘要：一种耐高温低损耗纳米晶隔磁材料及其制备方法，属于电磁屏蔽、无线充电磁片材料技术领域，克服现有技术中去应力方法耗时长、效率低的缺陷。本发明耐高温低损耗纳米晶隔磁材料的制备方法包括以下步骤：S1、在纳米晶态软磁合金带材上覆上双面胶，制得覆胶纳米晶带材；S2、对覆胶纳米晶带材进行碎磁，制得单层纳米晶磁性层；S3、对单层纳米晶磁性层进行多层复合制得复合材料；S4、对复合材料进行去应力处理，制得纳米晶隔磁材料；去应力处理包括：将复合材料在120～180℃下加热，然后进行弯折，并在拉力下收卷。本发明创造性地采用加热、弯折并恒张力拉伸去应力，相较于高温高湿放置去应力需要的时间更短，更加高效。
主权项：1.一种耐高温低损耗纳米晶隔磁材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、在纳米晶态软磁合金带材上覆上双面胶，制得覆胶纳米晶带材；S2、对所述覆胶纳米晶带材进行碎磁，制得单层纳米晶磁性层；S3、对所述单层纳米晶磁性层进行多层复合制得复合材料；S4、对所述复合材料进行去应力处理，制得纳米晶隔磁材料；所述去应力处理包括：将所述复合材料在120～180℃下加热，然后进行弯折，并在拉力下收卷。
全文数据：
权利要求：
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