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摘要:本发明属于芯片技术领域,公开了一种提高闪存烧写速度的方法、装置、设备及存储介质,方法包括:将通信协议预存在存储空间中,其中,所述通信协议包括命令区和数据区;在检测到所述命令区中的命令状态为完成状态时,向所述命令区中写入闪存烧写命令字,并将所述命令状态更新为就绪状态;在检测到所述命令状态为就绪状态时,读取所述闪存烧写命令字并执行所述闪存烧写命令字对应的闪存烧写操作,将所述命令状态更新为执行状态;对闪存执行所述闪存烧写操作,将所述数据区中的待烧写数据烧写至所述闪存中,并在执行完所述闪存烧写操作后将所述命令状态更新为完成状态。本发明解决了现有技术中通过调试器向闪存中写入程序时,写入速度较慢的问题。
主权项:1.一种提高闪存烧写速度的方法,其特征在于,包括:将通信协议预存在存储空间中,其中,所述通信协议包括命令区和数据区;在检测到所述命令区中的命令状态为完成状态时,向所述命令区中写入闪存烧写命令字,并将所述命令状态更新为就绪状态;在检测到所述命令状态为就绪状态时,读取所述闪存烧写命令字并执行所述闪存烧写命令字对应的闪存烧写操作,将所述命令状态更新为执行状态;对闪存执行所述闪存烧写操作,将所述数据区中的待烧写数据烧写至所述闪存中,并在执行完所述闪存烧写操作后将所述命令状态更新为完成状态。
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