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摘要：本发明提供了一种基座、外延生长装置及外延生长方法，属于半导体制造技术领域。所述基座包括：用于承载所述硅晶圆的承载部，所述承载部包括环形的斜面；设置在所述承载部外侧，包围所述承载部的环形部，所述环形部包括四个间隔排布的第一区域，所述第一区域设置有多个凸起部，相邻所述第一区域的中心与所述环形部的中心的连线垂直。本发明能够改善硅晶圆的外延层边缘平坦度。
主权项：1.一种基座，其特征在于，用于在外延生长装置中承载硅晶圆，所述基座包括：用于承载所述硅晶圆的承载部，所述承载部包括环形的斜面；设置在所述承载部外侧，包围所述承载部的环形部，所述环形部包括四个间隔排布的第一区域，所述第一区域设置有多个凸起部，相邻所述第一区域的中心与所述环形部的中心的连线垂直。
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百度查询： 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 西安奕斯伟硅片技术有限公司 基座、外延生长装置及外延生长方法
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