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一种无催化剂合成碳化钽纳米晶须及制备方法 

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摘要:本发明涉及一种无催化剂合成碳化钽纳米晶须及制备方法,该方法生产工艺不借助催化剂,无金属杂质引入,TaC纳米晶须具有高纯度。同时,所需要的生产设备简单,工艺过程简单,参数易于控制,可靠性和重复性好,易于实现规模化生产。本发明工艺方法制备的TaC纳米晶须具有高纯度、大长径比125‑2000的明显优点,因而具有较高的比强度,可作为一种理想的纳米增强体应用于各种复合材料中,以显著提高材料的强度与抗热震性,也可提高其导电性能。

主权项:1.一种无催化剂合成碳化钽纳米晶须的制备方法,其特征在于:采用碳热还原法制备的TaC纳米晶须直径分布在0.2-0.4μm,长度为50-400μm,长径比为125-2000;具体步骤如下:步骤1:将活性炭C、氧化钽Ta2O5和氟化钠NaF粉末,放入陶瓷研钵中研磨使其混合均匀,将粉体均匀铺入石墨坩埚;所述C:Ta2O5:NaF的摩尔比为1:0.05-0.35:0.3-1.2;步骤2:将盛有混合粉末的石墨坩埚,置于横卧式管式电阻炉中,在惰性气体保护下进行碳热还原反应,以5-8℃min升温速率升至1200-1450℃,保温2-4h;以4-6℃min降温速率降至200-400℃,随炉冷却至室温后,取出石墨坩埚即得到TaC纳米晶须。

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