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摘要:本发明涉及一种新布局形式的立式单腔碳化硅外延系统及其工艺流程,它属于碳化硅外延领域。本发明包括主机柜、特气柜、加热柜、动力柜、冷却水柜、控制面板、冷却腔、送料腔、中转腔和反应腔,主机柜、特气柜、加热柜和动力柜从前往后布置,冷却水柜布置于主机柜左侧,主机柜内布置有反应腔、中转腔、冷却腔和送料腔,以中转腔为中心布置反应腔、冷却腔和送料腔组成核心腔室,主机柜正前方布置用于操作设备的控制面板。本发明还提供一种新布局形式的立式单腔碳化硅外延系统的工艺流程。本发明系统设计合理,安全可靠,低硬件,低耗材成本,维护周期长,工艺质量好,满足使用需求。
主权项:1.一种新布局形式的立式单腔碳化硅外延系统,包括主机柜(1)、特气柜(2)、加热柜(3)、动力柜(4)、冷却水柜(5)和控制面板(8),所述主机柜(1)、特气柜(2)、加热柜(3)和动力柜(4)从前往后布置,冷却水柜(5)布置于主机柜(1)左侧,其特征在于:还包括冷却腔(6)、送料腔(7)、中转腔(9)和反应腔(10),所述主机柜(1)内布置有反应腔(10)、中转腔(9)、冷却腔(6)和送料腔(7),以中转腔(9)为中心布置反应腔(10)、冷却腔(6)和送料腔(7)组成核心腔室,主机柜(1)正前方布置用于操作设备的控制面板(8);反应腔(10)采用垂直进气方式实现碳化硅外延工艺;送料腔(7)用于碳化硅衬底进出设备,采用气缸开关腔盖,并以手动方式放置碳化硅衬底;冷却腔(6)用于完成外延工艺后的衬底静置冷却。
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