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摘要：具有全环栅器件的自对准栅极端盖SAGE架构。描述了具有全环栅器件的自对准栅极端盖SAGE架构，以及制造具有全环栅器件的自对准栅极端盖SAGE架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括：半导体鳍片，其在衬底上方并且具有在第一方向上的长度。纳米线在半导体鳍片上方。栅极结构在纳米线和半导体鳍片上方，栅极结构具有与第二方向上的第二端相对的第一端，所述第二方向垂直于第一方向。包括一对栅极端盖隔离结构，其中，该对栅极端盖隔离结构中的第一个与半导体鳍片的第一侧等距间隔开，同时该对栅极端盖隔离结构中的第二个与半导体鳍片的第二侧间隔开。
主权项：1.一种集成电路结构，包括：第一鳍片，其在沟槽隔离结构上方延伸；第二鳍片，其在沟槽隔离结构上方延伸，第二鳍片与第一鳍片横向间隔开；以及栅极端盖隔离结构，其位于第一鳍片和第二鳍片之间，栅极端盖隔离结构位于沟槽隔离结构上方并延伸到沟槽隔离结构中，栅极端盖隔离结构与第一鳍片横向间隔开并与第一鳍片分离，并且栅极端盖隔离结构与第二鳍片横向间隔开并与第二鳍片分离。
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百度查询： 英特尔公司 具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构
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