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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种静电放电防护器件及其形成方法，其中结构包括：位于衬底内相接触的第一阱区和第二阱区，第一阱区和第二阱区的导电类型不同；位于第一阱区内的第一掺杂区，第一掺杂区与第一阱区的导电类型不同；位于第二阱区内的第二掺杂区，第二掺杂区与第二阱区的导电类型相同；位于第一掺杂区和第二掺杂区之间的第三掺杂区，第三掺杂区和第二阱区的导电类型相同，且第三掺杂区与第一阱区和第二阱区均相接触；位于第一阱区内的轻掺杂区，轻掺杂区位于第三掺杂区和第一掺杂区之间，且与第三掺杂区相接触，轻掺杂区和第三掺杂区的导电类型相同，且轻掺杂区内的掺杂离子的浓度低于第三掺杂区内的掺杂离子的浓度，利于提高器件的静电放电作用。
主权项：1.一种静电放电防护器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底内相接触的第一阱区和第二阱区，所述第一阱区和所述第二阱区的导电类型不同；位于所述第一阱区内的第一掺杂区，所述第一掺杂区与所述第一阱区的导电类型不同；位于所述第二阱区内的第二掺杂区，所述第二掺杂区与所述第二阱区的导电类型相同；位于所述第一掺杂区和所述第二掺杂区之间的第三掺杂区，所述第三掺杂区和所述第二阱区的导电类型相同，且所述第三掺杂区与第一阱区和第二阱区均相接触；位于所述第一阱区内的轻掺杂区，所述轻掺杂区位于所述第三掺杂区和所述第一掺杂区之间，且与所述第三掺杂区相接触，所述轻掺杂区和所述第三掺杂区的导电类型相同，且所述轻掺杂区内的掺杂离子的浓度低于所述第三掺杂区内的掺杂离子的浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 静电放电防护器件及其形成方法
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