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申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
摘要：本发明半导体晶圆的处理方法包括二次研磨步骤：对半导体晶圆的背面进行二次研磨，以在所述背面形成预定深度的凹槽；以及湿法刻蚀步骤：在所述半导体晶圆的正面和所述背面涂布光刻胶并使所述凹槽暴露，将所述半导体晶圆置于硅腐蚀液中进行刻蚀以使所述凹槽的深度被加大直至使半导体单元分离。该方法可降低晶圆切割时产生的应力，从而减少半导体的型变，提高产品的良品率。
主权项：1.一种半导体晶圆的处理方法，其特征在于，包括以下步骤：二次研磨步骤：对半导体晶圆的背面进行二次研磨，以在所述背面形成预定深度的凹槽；以及湿法刻蚀步骤：在所述半导体晶圆的正面和所述背面涂布光刻胶并使所述凹槽暴露，将所述半导体晶圆置于硅腐蚀液中进行刻蚀以使所述凹槽的深度被加大直至使半导体单元分离。
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百度查询： 东莞新科技术研究开发有限公司 半导体晶圆的处理方法
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