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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要:一种半导体结构的形成方法,包括:提供待刻蚀层;在待刻蚀层上形成过渡层;在过渡层上形成初始牺牲层;去除部分所述初始牺牲层,形成牺牲层,在相邻牺牲层之间形成开口,所述开口暴露出所述过渡层表面,在所述开口暴露出的过渡层上形成初始含牺牲层材料的副产物;对所述初始含牺牲层材料的副产物进行改性处理,形成改性副产物,所述改性副产物的材料与所述过渡层的材料相同;去除所述开口暴露出的改性副产物和过渡层。所述方法形成的半导体结构性能得到了改善。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供待刻蚀层;在待刻蚀层上形成过渡层;在过渡层上形成初始牺牲层;去除部分所述初始牺牲层,形成牺牲层,在相邻牺牲层之间形成开口,所述开口暴露出所述过渡层表面,在所述开口暴露出的过渡层上形成初始含牺牲层材料的副产物;对所述初始含牺牲层材料的副产物进行改性处理,形成改性副产物,所述改性副产物的材料与所述过渡层的材料相同;去除所述开口暴露出的改性副产物和过渡层。
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