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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成过渡层；在过渡层上形成初始牺牲层；去除部分所述初始牺牲层，形成牺牲层，在相邻牺牲层之间形成开口，所述开口暴露出所述过渡层表面，在所述开口暴露出的过渡层上形成初始含牺牲层材料的副产物；对所述初始含牺牲层材料的副产物进行改性处理，形成改性副产物，所述改性副产物的材料与所述过渡层的材料相同；去除所述开口暴露出的改性副产物和过渡层。所述方法形成的半导体结构性能得到了改善。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成过渡层；在过渡层上形成初始牺牲层；去除部分所述初始牺牲层，形成牺牲层，在相邻牺牲层之间形成开口，所述开口暴露出所述过渡层表面，在所述开口暴露出的过渡层上形成初始含牺牲层材料的副产物；对所述初始含牺牲层材料的副产物进行改性处理，形成改性副产物，所述改性副产物的材料与所述过渡层的材料相同；去除所述开口暴露出的改性副产物和过渡层。
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