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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请公开了一种晶圆加工方法，涉及半导体制造领域。该晶圆加工方法包括将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；将晶圆传输至立式炉管机台；通过立式炉管机台在晶圆上形成氮化硅薄膜；将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至装载区；解决了目前氮化硅薄膜亲水性差，容易导致BARC涂布不均匀的问题；达到了在不增加工艺成本的情况下，提高氮化硅薄膜表面的亲水性，避免光刻时在衬底上形成气泡而导致的硅损失的效果。
主权项：1.一种晶圆加工方法，其特征在于，所述方法包括：将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境；将晶圆传输至所述立式炉管机台；通过所述立式炉管机台在所述晶圆上形成氮化硅薄膜；将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区，利用晶圆上的余温使得氮化硅薄膜表面大部分的Si-N共价键断裂并重新形成Si-O键，以提高氮化硅薄膜表面的亲水性；在所述氮化硅薄膜表面形成BARC层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 晶圆加工方法
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