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申请/专利权人:华虹半导体(无锡)有限公司
摘要:本申请公开了一种晶圆加工方法,涉及半导体制造领域。该晶圆加工方法包括将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境;将晶圆传输至立式炉管机台;通过立式炉管机台在晶圆上形成氮化硅薄膜;将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至装载区;解决了目前氮化硅薄膜亲水性差,容易导致BARC涂布不均匀的问题;达到了在不增加工艺成本的情况下,提高氮化硅薄膜表面的亲水性,避免光刻时在衬底上形成气泡而导致的硅损失的效果。
主权项:1.一种晶圆加工方法,其特征在于,所述方法包括:将立式炉管机台的装载区环境设置为含氧环境;将晶圆传输至所述立式炉管机台;通过所述立式炉管机台在所述晶圆上形成氮化硅薄膜;将形成有氮化硅薄膜的晶圆传输至所述装载区,利用晶圆上的余温使得氮化硅薄膜表面大部分的Si-N共价键断裂并重新形成Si-O键,以提高氮化硅薄膜表面的亲水性;在所述氮化硅薄膜表面形成BARC层。
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权利要求:
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