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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本揭露涉及多栅极半导体装置和其形成方法。一种多栅极半导体结构，其包含多个纳米线、放置在所述多个纳米线上方的栅极结构和在所述多个纳米线的各者的两端处的源极漏极结构。所述源极漏极结构包含导体，且所述导体的底面低于所述多个纳米线。
主权项：1.一种多栅极半导体结构，其包括：多个纳米线；栅极结构，其放置于所述多个纳米线上方；源极漏极结构，其在所述多个纳米线中的每一个的两端处，其中所述源极漏极结构包括：半导体层；金属硅化物层，其形成于所述源极漏极结构上方；以及接触插头，其形成于所述金属硅化物层上方，其中所述接触插头的底表面低于所述多个纳米线的最底部表面，所述接触插头包括上部部分和下部部分，所述金属硅化物层包围所述下部部分的底部和侧壁。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 多栅极半导体装置和其形成方法
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