龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和位于衬底上的多个鳍部，多个鳍部包括用于形成半导体器件的器件鳍部和待去除的多个伪鳍部；在鳍部和鳍部露出的衬底上保形覆盖保护层；去除多个伪鳍部上的保护层，形成剩余保护层；以剩余保护层为掩膜去除多个伪鳍部；去除器件鳍部上的保护层；去除保护层后，形成横跨器件鳍部的栅极结构；在栅极结构两侧的器件鳍部中形成源漏掺杂层。本发明实施例在去除多个伪鳍部上的保护层后，以剩余保护层为掩膜在一步中去除多个伪鳍部，因为同一步骤的工艺条件较为一致，与分别去除伪鳍部的方案相比，本发明实施例去除伪鳍部的高度较为一致，有利于改善器件的性能以及性能均一性。
主权项：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底和位于所述衬底上的多个鳍部，所述多个鳍部包括用于形成半导体器件的器件鳍部和待去除的多个伪鳍部；在所述鳍部和所述鳍部露出的所述衬底上保形覆盖保护层；去除所述多个伪鳍部上的所述保护层，形成剩余保护层，去除所述多个伪鳍部上的所述保护层的步骤中，去除所述伪鳍部的顶部和侧壁上的所述保护层；以所述剩余保护层为掩膜去除所述多个伪鳍部；去除所述器件鳍部上的所述保护层；去除所述保护层后，形成横跨所述器件鳍部的栅极结构；在所述栅极结构两侧的所述器件鳍部中形成源漏掺杂层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号