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申请/专利权人:中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要:一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,基底包括衬底和位于衬底上的多个鳍部,多个鳍部包括用于形成半导体器件的器件鳍部和待去除的多个伪鳍部;在鳍部和鳍部露出的衬底上保形覆盖保护层;去除多个伪鳍部上的保护层,形成剩余保护层;以剩余保护层为掩膜去除多个伪鳍部;去除器件鳍部上的保护层;去除保护层后,形成横跨器件鳍部的栅极结构;在栅极结构两侧的器件鳍部中形成源漏掺杂层。本发明实施例在去除多个伪鳍部上的保护层后,以剩余保护层为掩膜在一步中去除多个伪鳍部,因为同一步骤的工艺条件较为一致,与分别去除伪鳍部的方案相比,本发明实施例去除伪鳍部的高度较为一致,有利于改善器件的性能以及性能均一性。
主权项:1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底和位于所述衬底上的多个鳍部,所述多个鳍部包括用于形成半导体器件的器件鳍部和待去除的多个伪鳍部;在所述鳍部和所述鳍部露出的所述衬底上保形覆盖保护层;去除所述多个伪鳍部上的所述保护层,形成剩余保护层,去除所述多个伪鳍部上的所述保护层的步骤中,去除所述伪鳍部的顶部和侧壁上的所述保护层;以所述剩余保护层为掩膜去除所述多个伪鳍部;去除所述器件鳍部上的所述保护层;去除所述保护层后,形成横跨所述器件鳍部的栅极结构;在所述栅极结构两侧的所述器件鳍部中形成源漏掺杂层。
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百度查询: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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