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申请/专利权人：湖北兴福电子材料股份有限公司
摘要：本发明涉及一种MTD‑Cu‑MTD蚀刻液及蚀刻方法。按质量百分比计，所述的蚀刻液组成为：2‑8%双氧水、4‑10%有机酸、3‑8%pH调节剂、0.5‑3%稳定剂、0.02‑1.0%无机酸、0.01‑0.5%金属缓蚀剂、1‑5%络合剂，余量为水。本发明提供的一种无氟、环保且无顶层金属突出（Tip）、底层金属拖尾（Tail）等现象的蚀刻液，能够有效可控地调整蚀刻锥角和CDbias，满足面板用不同厚度MTD‑Cu‑MTD结构的蚀刻需求，实现药液的高效利用，降低蚀刻成本。本发明还涉及一种MTD‑Cu‑MTD蚀刻液的蚀刻方法。
主权项：1.一种MTD-Cu-MTD蚀刻液，其特征在于：所述的蚀刻液成分包括占蚀刻液总重量2-8%双氧水、4-10%有机酸、3-8%pH调节剂、0.5-3%稳定剂、0.02-1.0%无机酸、0.01-0.5%金属缓蚀剂、1-5%络合剂，余量为水。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖北兴福电子材料股份有限公司 一种MTD-Cu-MTD蚀刻液及蚀刻方法
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