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申请/专利权人：上海艾为电子技术股份有限公司
摘要：本申请涉及静电防护技术领域，公开了一种半导体器件。本申请的半导体器件，通过将在N+注入区下方的P阱设计为槽孔slot的形式，调节寄生NPN的层次浓度，增加寄生NPN的放大倍数，提高DDSCR器件的过电流能力；同时，由于增加寄生NPN的基极电阻，提高了DDSCR开启响应速度，使其电流导通更加均匀；此外，无需调控工艺和增加额外的成本。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：P型衬底；N型埋层，位于所述P型衬底上；高压N型阱区，P型阱区，N型注入区，P型注入区，位于所述N型埋层上；所述P型注入区包括第一P型注入区、第二P型注入区、第三P型注入区和第四P型注入区，所述N型注入区包括第一N型注入区和第二N型注入区；其中，所述第一N型注入区和所述第一P型注入区连接至所述半导体器件的阳极；所述第二P型注入区、所述第三P型注入区和所述第二N型注入区连接至所述半导体器件的第一阴极；所述第四P型注入区连接至所述半导体器件的第二阴极，且所述第一P型注入区和所述第二P型注入区的注入浓度小于所述第三P型注入区和所述第四P型注入区的注入浓度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海艾为电子技术股份有限公司 半导体器件以及芯片
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