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申请/专利权人：中科研和(宁波)科技有限公司
摘要：本发明提供一种用于制备泛半导体材料的原子层沉积设备及方法，涉及原子层沉积设备技术领域，以解决现有技术中的原子层沉积设备无法兼顾低成本、高准确性和高稳定性的技术问题；用于制备泛半导体材料的原子层沉积设备，包括外室、内室和总排气管，外室内设有外腔，内室内设有内腔，内室设于外腔内，外室后侧壁连接有连接总排气管的第一排气管，内室后侧壁连接有穿过外室并连接总排气管的第二排气管，总排气管连接真空系统，外室设有与补气系统连接的补气口，外腔内设有第一真空压力计，内腔内设有第二真空压力计，第一真空压力计、第二真空压力计与补气系统电连接；还涉及用于制备泛半导体材料的原子层沉积方法，采用上述的原子层沉积设备。
主权项：1.一种用于制备泛半导体材料的原子层沉积设备，其特征在于，包括外室（1）、内室（2）和总排气管（3），所述外室（1）和所述内室（2）均呈长方体，所述外室（1）内设有外腔（100），所述内室（2）内设有内腔（200），所述内室（2）设于所述外腔（100）内，所述内腔（200）用于容纳待沉积基材，所述外室（1）后侧壁上连接有与所述外腔（100）连通的第一排气管（4），所述第一排气管（4）连接所述总排气管（3），所述内室（2）后侧壁上连接有与所述内腔（200）连通的第二排气管（5），所述第二排气管（5）穿过所述外室（1）并连接所述总排气管（3），所述总排气管（3）连接有真空系统，所述外室（1）设有与所述外腔（100）连通的补气口（6），所述补气口（6）连接有补气系统，所述外腔（100）内设有第一真空压力计（7），所述内腔（200）内设有第二真空压力计（8），所述第一真空压力计（7）、所述第二真空压力计（8）与所述补气系统电连接。
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