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一种集成无源器件的桥连结构及其制造方法 

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申请/专利权人:厦门云天半导体科技有限公司

摘要:本发明公开一种集成无源器件的桥连结构及其制造方法,其中,桥连结构包括:玻璃基衬底和无源器件区域,其第一表面设置有第一重布线层和至少一层高密度布线层,高密度布线层的介质层上具有第一开口,第一开口与用于互连芯片的第一凸点连接;无源器件区域形成在玻璃基衬底中,无源器件区域包括位于玻璃基衬底上的盲孔或通孔、形成于盲孔或通孔上的无源器件结构,无源器件结构包括电容结构、3D电感结构或3D电阻结构中的一种或者多种的组合,无源器件结构连接第一重布线层。该桥连结构封装尺寸更薄,集成度更高,制作简单,成本低,并且可有效的解决有机基板在高频传输信号下出现的损耗大、频偏严重等问题。

主权项:1.一种集成无源器件的桥连结构,其特征在于,包括:玻璃基衬底,其第一表面设置有第一重布线层和至少一层高密度布线层,所述高密度布线层的介质层上具有第一开口,所述第一开口与用于互连芯片的第一凸点连接;无源器件区域,形成在所述玻璃基衬底中,所述无源器件区域包括位于所述玻璃基衬底上的盲孔或通孔、形成于所述盲孔或通孔上的无源器件结构,所述无源器件结构包括电容结构、3D电感结构或3D电阻结构中的一种或者多种的组合,所述无源器件结构连接所述第一重布线层。

全文数据:

权利要求:

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