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半导体存储器装置及其写入方法 

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申请/专利权人:华邦电子股份有限公司

摘要:本发明提供一种半导体存储器装置及其写入方法。半导体存储器装置包括存储器控制电路以及存储器阵列。存储器阵列包括目标存储器组。目标存储器组包括目标存储单元以及感测放大器电路。感测放大器电路经由位线耦接目标存储单元,并从存储器控制电路接收位于第一电压值范围内的数据信号,且根据数据信号而在位线产生位于第二电压值范围内的位线信号。第二电压值范围大于第一电压值范围。

主权项:1.一种半导体存储器装置,其特征在于,包括:存储器控制电路;以及存储器阵列,耦接所述存储器控制电路,所述存储器阵列包括目标存储器组,其中所述目标存储器组包括:目标存储单元,耦接位线;以及感测放大器电路,经由所述位线耦接所述目标存储单元,从所述存储器控制电路接收位于第一电压值范围内的数据信号,且根据所述数据信号而在所述位线产生位于第二电压值范围内的位线信号,所述第二电压值范围大于所述第一电压值范围。

全文数据:

权利要求:

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