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申请/专利权人：苏州亿麦矽半导体技术有限公司
摘要：本发明涉及的无BT基板核的高密度多层倒装阵列基板及其制备方法：根据所需厚度准备环氧塑封料；以80吨‑180吨的压力对环氧塑封料进行真空塑压，获得厚度为0.2mm‑0.5mm的中间层；在中间层的上表面和或下表面压接膜状介电材料或在两个所述中间层之间压接金属线。本发明的有益之处在于：通过更换中间层材料的种类，采用180吨高压热压塑封材料的方式，能够得到刚性较好的中间层材料，并取代现有的BT材料，具有加工简单，加工成本低的优势；新的材料由于没有正反面覆铜，可以通过工艺的方式，更容易的制作更细的内层线路；同时新的基板结构采用与增层材料同源的材料体系，能让基板得到更好的可靠性。
主权项：1.一种高密度多层倒装阵列基板制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.根据所需厚度准备环氧塑封料；S2.以80吨-180吨的压力对环氧塑封料进行真空塑压获得由塑封料制成的指定厚度的中间层；S3.在中间层的上表面和下表面分别制作出基本的内部线路层，再在中间层的两侧压接膜状介电材料，完成内层线路的制作。
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百度查询： 苏州亿麦矽半导体技术有限公司 一种无BT基板核的高密度多层倒装阵列基板及制备方法
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