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申请/专利权人：英飞凌科技股份有限公司

摘要：公开了具有边缘终止结构的半导体器件。公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体本体100，具有第一主表面101、边缘表面103、内部区110以及被布置在内部区110和边缘表面103之间的边缘区120；布置在内部区110中的第一掺杂类型的第一半导体区11和布置在内部区110和边缘区120中的第二掺杂类型的第二半导体区21，其中在第一半导体区11和第二半导体区21之间形成pn结12；以及边缘终止结构30。边缘终止结构包括：第一掺杂类型的第三半导体区31，其被布置在边缘区120中并且邻接第一半导体区11，其中第三半导体区31的掺杂剂量朝向边缘表面103而减小；第二半导体区21的邻接第一主表面101的表面区段33；以及具有高于109Ωcm的特定电阻的非晶钝化层32，其形成在第一主表面101上，并且邻接第二半导体区21的表面区段33以及第三半导体区31。边缘终止结构30在半导体本体100中在横向方向上具有宽度w30，以及第三半导体区31的在与第一半导体区11间隔开边缘终止结构30的宽度w30的50%的横向位置x1处的电有源掺杂剂量至少为QBRq，其中QBR是半导体本体100的半导体材料的击穿电荷并且q是基元电荷。

主权项：1.一种半导体器件，包括：半导体本体100，具有第一主表面101、边缘表面103、内部区110以及被布置在内部区110和边缘表面103之间的边缘区120；布置在内部区110中的第一掺杂类型的第一半导体区11和布置在内部区110和边缘区120中的第二掺杂类型的第二半导体区21，其中在第一半导体区11和第二半导体区21之间形成pn结12；以及边缘终止结构30，包括：第一掺杂类型的第三半导体区31，其被布置在边缘区120中并且邻接第一半导体区11，其中第三半导体区31的掺杂剂量朝向边缘表面103而减小；第二半导体区21的邻接第一主表面101的表面区段33；以及具有高于109Ωcm的特定电阻的非晶钝化层32，其形成在第一主表面101上，并且邻接第二半导体区21的表面区段33以及第三半导体区31，其中，边缘终止结构30在半导体本体100中在横向方向上具有宽度w30，以及其中，第三半导体区31的在与第一半导体区11间隔开边缘终止结构30的宽度w30的50％的横向位置x1处的电有源掺杂剂量至少为QBRq，其中QBR是半导体本体100的半导体材料的击穿电荷并且q是基元电荷。

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