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申请/专利权人：重庆平创半导体研究院有限责任公司
摘要：本发明涉及功率半导体技术领域，具体公开了一种分立式功率半导体器件封装结构，包括：半导体芯片、金属引线框架，还包括门极键合线、异形金属引脚、塑封体、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB；半导体芯片焊接在金属引线框架上；第一电热金属连接件焊接在半导体芯片上；第二电热金属连接件焊接在异形金属引脚上；电路刻蚀层焊接在第一电热金属连接件和第二电热金属连接件上；门极键合线分别连接第一电热金属连接件和第二电热金属连接件。采用本发明的技术方案能够实现双面散热，可适用于650V以上的高压应用工况，尤其适用于碳化硅芯片的封装。
主权项：1.一种分立式功率半导体器件封装结构，包括半导体芯片、金属引线框架，其特征在于，还包括门极键合线、金属引脚、塑封体、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB；DCB包括从下至上连接的电路刻蚀层、绝缘陶瓷层和顶部焊接层；半导体芯片焊接在金属引线框架上；第一电热金属连接件焊接在半导体芯片上；第二电热金属连接件焊接在金属引脚上；电路刻蚀层焊接在第一电热金属连接件和第二电热金属连接件上；门极键合线分别连接第一电热金属连接件和第二电热金属连接件；塑封体用于将半导体芯片、金属引线框架、金属引脚、第一电热金属连接件、第二电热金属连接件和DCB封装固定。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆平创半导体研究院有限责任公司 一种分立式功率半导体器件封装结构
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