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申请/专利权人：索泰克公司
摘要：本发明涉及用于功率或射频电子器件的基板，所述基板包括：·由多晶碳化硅制成的支撑基板30，所述支撑基板30具有正面10和背面20，所述支撑基板30是自支撑的，以及·在所述支撑基板30的正面10上延伸的单晶碳化硅表面层1，所述基板的特征在于，所述支撑基板30具有从所述背面20延伸的至少一个多孔部分3，所述多孔部分3具有大于5％的孔隙度。
主权项：1.一种用于射频或功率电子器件的基板，所述基板包括：o由多晶碳化硅制成的支撑基板30，所述支撑基板具有正面10和背面20，所述支撑基板30是自支撑的，以及o在所述支撑基板30的正面10上延伸的单晶碳化硅表面层1，所述基板的特征在于，所述支撑基板30具有从所述背面20延伸的至少一个多孔部分3，所述多孔部分3具有大于5％的孔隙度。
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