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申请/专利权人：苏州立琻半导体有限公司;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
摘要：本发明公开了一种紫外光电子器件的外延结构及其应用。该层叠结构包括层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，p型半导体结构层包括沿选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；p型半导体结构层还包括黑线层，黑线层设置在空穴运输层和接触层之间，电子阻挡层、空穴运输层和黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，接触层是由含Al或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，黑线层的带隙高于接触层、空穴运输层中任一者的带隙。本发明提供的一种层叠结构可以有效地阻挡低温的接触层的杂质和空位等缺陷向功能层扩散，有效地改善器件可靠性和工作寿命。
主权项：1.一种层叠结构，包括沿选定方向依次层叠设置的n型半导体结构层、功能层和p型半导体结构层，所述p型半导体结构层包括沿所述选定方向层叠设置的电子阻挡层、空穴运输层和接触层；其特征在于：所述p型半导体结构层还包括黑线层，所述黑线层设置在所述空穴运输层和所述接触层之间，所述电子阻挡层、所述空穴运输层和所述黑线层均是由含Al的III族氮化物半导体材料形成的，所述接触层是由含Al和或不含Al的III族氮化物半导体材料形成的，并且，所述黑线层的带隙高于所述接触层的带隙。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州立琻半导体有限公司 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 紫外光电子器件的外延结构及其应用
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