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申请/专利权人:长江存储科技有限责任公司
摘要:本申请实施例公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储系统。所述方法包括:提供堆叠结构,所述堆叠结构包括沿第一方向分布的器件区和连接区,所述堆叠结构包括沿第二方向交替堆叠的层间绝缘层和复合材料层,所述复合材料层包括位于所述连接区的位线;所述第二方向与所述第一方向相交叉;在所述连接区形成接触孔,所述接触孔从所述堆叠结构的第一侧沿所述第二方向延伸至所述位线;在所述接触孔中形成接触结构,且所述接触结构与所述位线连接。本申请实施例能够减小半导体器件的体积,提高存储密度,且简化制作工艺。
主权项:1.一种半导体器件的制作方法,其特征在于,所述方法包括:提供堆叠结构,所述堆叠结构包括沿第一方向分布的器件区和连接区,所述堆叠结构包括沿第二方向交替堆叠的层间绝缘层和复合材料层,所述复合材料层包括位于所述连接区的位线;所述第二方向与所述第一方向相交叉;在所述连接区形成接触孔,所述接触孔从所述堆叠结构的第一侧沿所述第二方向延伸至所述位线;在所述接触孔中形成接触结构,且所述接触结构与所述位线连接。
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权利要求:
百度查询: 长江存储科技有限责任公司 半导体器件的制作方法、半导体器件及存储系统
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