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申请/专利权人：山东华光光电子股份有限公司
摘要：本发明涉及一种大功率半导体激光器晶圆P面电镀金的方法，属于大功率半导体激光器电镀金电极技术领域。本发明的大功率半导体激光器的待镀金区域为薄金种子层，非镀金区域保留部分光刻胶绝缘层，去除光刻胶部分设计有TiPtAu导电桥，有利于晶圆电镀时垂直方向和水平方向的电流为通路，避免了稳流电镀时，电镀电压增大，烧蚀光刻胶现象，从而提高了镀层良率；同时，此方法非镀金区去除光刻胶部分设计有边缘到中间逐渐增多的TiPtAu导电桥，有利于缩小整个晶圆不同区域的电镀电流密度差，从而将镀层均匀性稳定在8％内，有利于大功率半导体激光器的焊线封装。
主权项：1.一种大功率半导体激光器晶圆P面电镀金的方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：采用电子束蒸发工艺，在半导体激光器晶圆表面蒸镀薄金种子层；S2：在步骤S1的中的薄金种子层上，采用PECVD沉积的SiO2绝缘层，采用BOE腐蚀液腐蚀去除电流注入区、圆环电极区和水平导电桥区的薄金种子层上的SiO2绝缘层，暴露出电流注入区、圆环电极区和水平导电桥区的薄金种子层；S3：在步骤S2的晶圆上旋涂一层光刻胶，并进行曝光、显影、去胶，暴露出晶圆边缘圆环电极区的薄金种子层，即圆环电极，暴露出电流注入区的薄金种子层，以及在晶圆内部的水平导电桥区，保留部分光刻胶，暴露出薄金种子层形成水平导电桥；S4：采用电镀工艺对经过步骤S3处理的晶圆表面电镀金，在电流注入区和水平导电桥上形成电镀厚金层，非镀金区上裸露光刻胶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 山东华光光电子股份有限公司 一种大功率半导体激光器晶圆P面电镀金的方法
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