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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种快速判断晶圆表面亲疏水性的方法，提供待检测亲疏水性的前层结构，在前层结构进行旋涂光刻胶之前需去除增粘剂或不形成增粘剂；在前层结构上形成光刻胶层；选取透光率高于预设值的掩膜版，掩膜版上包括特定图形，特定图形能够根据亲疏水性呈现出不同的显影形貌，之后利用掩膜版图形化光刻胶层；根据特定图形在光刻胶层的显影后形貌判断前层结构的亲疏水性：若特定图形在光刻胶层上显影无缺失，则判断前层结构为偏疏水性；若特定图形在光刻胶层上显影存在缺失，则判断前层结构为偏亲水性。本发明能够快速判定晶圆表面的亲疏水性。
主权项：1.一种快速判断晶圆表面亲疏水性的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供待检测亲疏水性的前层结构，在所述前层结构进行旋涂光刻胶之前需去除增粘剂或不形成增粘剂；步骤二、在所述前层结构上形成光刻胶层；步骤三、选取透光率高于预设值的掩膜版，所述掩膜版上包括特定图形，所述特定图形能够根据亲疏水性呈现出不同的显影形貌，之后利用所述掩膜版图形化所述光刻胶层；步骤四、根据所述特定图形在所述光刻胶层的显影后形貌判断所述前层结构的亲疏水性：若所述特定图形在所述光刻胶层上显影无缺失，则判断所述前层结构为偏疏水性；若所述特定图形在所述光刻胶层上显影存在缺失，则判断所述前层结构为偏亲水性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 快速判断晶圆表面亲疏水性的方法
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