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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供一种降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，提供衬底，将衬底置于增强型等离子体化学气相淀积的反应腔体中，利用增强型等离子体化学气相淀积的方法在衬底上形成PECVD薄膜；在反应腔体中通入O2和He，利用射频源将O2和He电离为等离子体对PECVD薄膜的表面进行处理，使得PECVD薄膜的表面电压标准方差符合预设值；去除反应腔体中的工艺气体。本发明能够使最终表征等离子体损伤趋势的表面电压标准方差Vsstdev有明显下降。
主权项：1.一种降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、提供衬底，将所述衬底置于增强型等离子体化学气相淀积的反应腔体中，利用增强型等离子体化学气相淀积的方法在所述衬底上形成PECVD薄膜；步骤二、在所述反应腔体中通入O2和He，利用射频源将O2和He电离为等离子体对所述PECVD薄膜的表面进行处理，使得所述PECVD薄膜的表面电压标准方差符合预设值；步骤三、去除所述反应腔体中的工艺气体。
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权利要求：
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