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申请/专利权人：安徽长飞先进半导体股份有限公司
摘要：本发明公开了一种晶圆平坦化装置及方法，属于半导体制造技术领域。晶圆平坦化装置包括：抛光盘、抛光头、液体供应部件和第一光源。抛光盘的上表面设置有多个晶圆容置槽；抛光头设置于抛光盘的上方，抛光头的下端固定有抛光垫，抛光垫的抛光作用面的面积大于或等于待磨晶圆的待抛光面的面积；液体供应部件用于向抛光盘供应化学液；平坦化制程中，各待磨晶圆的待抛光面均浸没于化学液中；第一光源设置于抛光盘的上方；第一光源发出的第一类光的照射范围覆盖各待磨晶圆的待抛光面；同一时刻，抛光垫对部分待磨晶圆的待抛光面进行研磨；其他待磨晶圆的待抛光面在第一类光的照射下，在化学液中发生氧化反应。本发明实施例可以提高晶圆平坦化效率。
主权项：1.一种晶圆平坦化装置，其特征在于，包括：抛光盘，所述抛光盘的上表面设置有多个晶圆容置槽，所述晶圆容置槽用于固定待磨晶圆；抛光头，设置于所述抛光盘的上方，所述抛光头的下端固定有抛光垫，所述抛光垫的抛光作用面的面积大于或等于所述待磨晶圆的待抛光面的面积；液体供应部件，用于向所述抛光盘供应化学液；在平坦化制程中，各所述待磨晶圆的待抛光面均浸没于所述化学液中；第一光源，设置于所述抛光盘的上方；所述第一光源发出的第一类光的照射范围覆盖各所述待磨晶圆的待抛光面；其中，在平坦化制程中，同一时刻，所述抛光垫对所述抛光盘中的部分待磨晶圆的待抛光面进行研磨；所述抛光盘中其他待磨晶圆的待抛光面在所述第一类光的照射下，在所述化学液中发生氧化反应；所述晶圆平坦化装置，还包括：电源，所述电源的阴极连接所述抛光垫，所述电源的阳极连接所述待磨晶圆；所述电源通过连接的所述抛光垫和所述待磨晶圆形成电场；第二光源，设置于所述抛光盘的下方；其中，所述第二光源发出的第二类光透过所述抛光盘和所述待磨晶圆照射所述待磨晶圆的待抛光面，所述第二类光的光子能量大于所述待磨晶圆材料的禁带宽度；其中，所述待磨晶圆的待抛光面在所述第二类光的照射下产生光生电子空穴对，在所述电场作用下，电子空穴对发生分离，空穴向所述待磨晶圆的待抛光面聚集，使所述待抛光面发生氧化反应。
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