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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种光学相移器件包括在绝缘层上的肋状波导部分，该波导部分具有沿着纵向方向延伸并具有高度的p‑n或p‑i‑n结。一对平板部分与波导部分相邻布置，分别在肋状波导部分的每一侧以及绝缘层上。平板部分的掺杂浓度比肋状波导部分中的相应掺杂浓度更高。每个平板部分的至少部分的高度随着距波导部分的距离而增加，并且平板高度小于在波导部分与平板部分之间的接合处的波导部分的高度。一对接触部分形成在相应的平板部分附近并且远离波导部分。每个接触部分的一部分还可以具有随着距波导部分的距离而变化的高度。本发明的实施例还涉及制造光学相移器件的方法。
主权项：1.一种相移器件，包括：绝缘层；以及半导体波导层，布置在所述绝缘层上，并且包括：波导部分，具有p-n结或p-i-n结，所述p-n结或p-i-n结包括沿着第一方向相对彼此布置的p型掺杂部分和n型掺杂部分，所述p型掺杂部分和n型掺杂部分各自具有区域，所述区域具有沿着平行于所述绝缘层并且垂直于所述第一方向的第二方向的第一尺寸和沿着垂直于所述绝缘层和所述第一方向的第三方向的第二尺寸；以及平板部分的对，每个平板部分在所述第一方向上与所述p型掺杂和n型掺杂部分中的对应一个相邻并从其延伸，并且所述平板部分的截面区域平行于所述p型掺杂和n型掺杂部分中的所述对应一个的区域，所述截面区域的尺寸随沿着所述第一方向距所述p型掺杂和n型掺杂部分中的所述对应一个的距离而变化，与所述p-n或p-i-n结的所述p型掺杂部分相邻的所述平板部分是具有高于所述p型掺杂部分的浓度的p型掺杂，并且与所述p-n或p-i-n结的所述n型掺杂部分相邻的所述平板部分是具有高于所述n型掺杂部分的浓度的n型掺杂；其中，所述平板部分的对中的每一个所述平板部分上都具有与所述绝缘层相对的顶面，所述顶面包括倾斜的平面部分，所述倾斜的平面部分相对于所述绝缘层呈斜角。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 相移器件及其制造方法
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