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摘要：本发明涉及一种用于绝缘体上硅工艺场效应晶体管电离辐射损伤的表征测试方法，属于半导体器件辐射损伤定量测试技术领域，解决绝缘体上硅工艺器件总剂量辐射前后复合电流峰值测量不准确的技术问题，其方法包括正栅及背栅转移特性曲线测试、体端复合电流与背栅电压关系曲线测试、总剂量辐射效应试验及辐照后参数测试、中带电压法提取背栅耗尽电压、求取复合电流峰值增量、分离氧化物陷阱电荷以及拟合提取陷阱电荷平均面密度的步骤。该表征测试方法用于定量揭示绝缘体上硅工艺场效应晶体管中辐射感生的氧化物陷阱电荷和界面陷阱的平均面密度。

主权项：1.一种用于绝缘体上硅工艺场效应晶体管电离辐射损伤的表征测试方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，正栅及背栅转移特性曲线测试：绝缘体上硅工艺效应晶体管辐照前，使用半导体参数分析仪，测试其辐照前的正栅及背栅转移特性曲线，得到绝缘体上硅工艺效应晶体管的正栅反型电压；步骤2，体端复合电流与背栅电压关系曲线测试：将步骤1得到正栅反型电压固定在正栅端，固定体端为0V，源端与漏端施加相同的正偏压；设定背栅扫描电压范围与扫描步长，得到辐照前源漏-体电压下的体端复合电流IB随背栅电压VBG变化的关系曲线；步骤3，总剂量辐射效应试验及辐照后参数测试：采用总剂量辐射试验装置，按设定辐照总剂量，对绝缘体上硅工艺效应晶体管实施总剂量辐照；测试绝缘体上硅工艺场效应晶体管总剂量辐射效应，得到辐照后正栅及背栅转移特性曲线、不同源漏-体电压下体端复合电流IB随背栅电压VBG变化的关系曲线；步骤4，中带电压法提取背栅耗尽电压：依据辐照前、辐照后的正栅及背栅转移特性曲线，采用中带电压法，分别求取辐照前、辐照后的中带电流Img；结合背栅亚阈值曲线，得到辐照前、辐照后的背栅耗尽电压VBG,mg；步骤5，求取复合电流峰值增量：依据辐照前、辐照后的背栅耗尽电压VBG,mg，以及辐照前、辐照后的IB-VBG关系曲线，求取辐照前、辐照后的复合电流峰值IB-peak；结合基线电流值，求取辐照前、辐照后的复合电流峰值增量ΔIB-peak；步骤6，分离氧化物陷阱电荷，拟合提取陷阱电荷平均面密度：采用中带电压法与直流电流电压法相结合的方式，提取绝缘体上硅工艺场效应晶体管各剂量点下陷阱电荷平均面密度，完成对绝缘体上硅工艺场效应晶体管电离辐射损伤的表征测试。

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百度查询： 中国科学院新疆理化技术研究所 一种用于绝缘体上硅工艺场效应晶体管电离辐射损伤的表征测试方法