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摘要:本发明属于射频集成电路领域,为一种可自适应提升响应速度的功率放大器,包括输入匹配电路一端连接到射频输入端口,另一端连接到射频放大晶体管HBT0的基极和有源偏置电路;射频放大晶体管HBT0的基极连接到输入匹配电路和有源偏置电路,发射极连接到镇流电阻R0的一端,镇流电阻R0的另一端接地,射频放大晶体管HBT0的集电极连接到电源和输出匹配电路;输出匹配电路一端连接到射频输出端口,另一端连接到射频放大晶体管HBT0的集电极;有源偏置电路连接到射频放大晶体管HBT0的基极。解决功率放大器电路在工作阶段出现信号动态失真,恶化信号质量,降低传输速率的问题,能够抑制功率放大器的增益压缩与相位失真。
主权项:1.一种可自适应提升响应速度的功率放大器,其特征在于,包括输入匹配电路、射频放大晶体管HBT0、镇流电阻R0、输出匹配电路以及有源偏置电路,其中:输入匹配电路一端连接到射频输入端口,用于提供源阻抗,另一端连接到射频放大晶体管HBT0的基极和有源偏置电路;所述射频放大晶体管HBT0的基极连接到输入匹配电路和有源偏置电路,射频放大晶体管HBT0的发射极连接到镇流电阻R0的一端,镇流电阻R0的另一端接地,射频放大晶体管HBT0的集电极连接到电源Vcc和输出匹配电路;所述输出匹配电路一端连接到射频输出端口,用于提供负载阻抗,另一端连接到射频放大晶体管HBT0的集电极;有源偏置电路连接到射频放大晶体管HBT0的基极,为射频放大晶体管HBT0提供偏置电流;所述有源偏置电路包括晶体管HBT1、晶体管HBT2、晶体管HBT3、晶体管HBT4、晶体管HBT5、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、以及滤波电容C1,晶体管HBT1的基极分别于晶体管HBT3的基极和电阻R3的第一端连接,晶体管HBT1的发射极分别于电阻R1的第一端、电阻R2的第一端以及电容C1的第一端连接,电容C1的第二端接地,晶体管HBT1的集电极与电压Vcc连接,电阻R1的第二端连接射频放大晶体管HBT0的基极;晶体管HBT2的基极与电阻R2的第二端连接,晶体管HBT2的集电极分别与晶体管HBT3的发射极、晶体管HBT4的集电极以及电阻R4的第一端连接,晶体管HBT2的发射极接地;晶体管HBT3的基极分别与晶体管HBT1的基极、晶体管HBT3的集电极以及电阻R3的第一端连接,电阻R3的第二端与电压Ven连接,晶体管HBT3的发射极分别与晶体管HBT2的集电极、晶体管HBT4的集电极以及电阻R4的第一端连接;电阻R4的第二端与电压Ven连接,晶体管HBT4的基极与电阻R5的第一端连接,晶体管HBT4的集电极分别与晶体管HBT2的集电极、晶体管HBT3的发射极以及电阻R4的第一端连接,晶体管HBT4的发射极接地;晶体管HBT5的基极分别与晶体管HBT5的集电极、电阻R5的第二端以及电阻R6的第一端连接,电阻R6的第二端接电压Ven,晶体管HBT5的发射极接地。
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百度查询: 苏州悉芯射频微电子有限公司 一种可自适应提升响应速度的功率放大器
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