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摘要：本发明公开了一种可增强图像对比度的二维异质结晶体管的器件及其制备方法，由下至上依次衬底、GaS薄层、WS2薄层、金电极。采用反复黏贴的方法制备二维GaS薄层和WS2薄层，转移到衬底；通过在硫化钨场效应晶体管中引入硫化镓材料，改善界面性能，屏蔽氧化硅中载流子陷阱的影响，从而扩大其存储窗口。与WS2FET相比，WS2GaSFET的存储窗口减小现象表现出累加效应，表明缺陷具有非易失性的特征，WS2GaSFET在负栅压处理后，其存储窗口面积在短时间内不会恢复到原始状态，表明载流子数量实现了累加，展现出非易失性的存储特性。栅极对存储窗口大小的调控作用尤为显著。
主权项：1.一种可增强图像对比度的二维异质结晶体管的器件，其特征在于：由下至上依次衬底、GaS薄层、WS2薄层、金电极。
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百度查询： 东北师范大学 一种可增强图像对比度的二维异质结晶体管的器件及其制备方法
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