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申请/专利权人：江苏芯德半导体科技有限公司
摘要：本发明公开了一种UBM跨越式晶圆级封装结构，包括芯片基层，所述芯片基层包含正表面和背表面，在正表面上设有第一压区和第二压区，在第一压区和第二压区之间设有第三压区单元，第三压区单元包含至少一个压区；凸块下金属化层，所述凸块下金属化层的接触端与至少和第一压区和第二压区连接，所述凸块下金属化层上方有焊接凸点；钝化层，所述钝化层形成与芯片基层的正表面，所述凸块下金属化层下方设有可跨越单个或多个再布线层。本发明的一种UBM跨越式晶圆级封装结构，UBM跨越再布线层（RDL层）或再钝化层（Repassivation）互联导通芯片不同区域压区的晶圆级封装新型结构，简化了晶圆级封装的工艺流程。
主权项：1.一种UBM跨越式晶圆级封装结构，其特征在于：包括芯片基层，所述芯片基层包含正表面和背表面，在正表面上设有第一压区和第二压区，在第一压区和第二压区之间设有第三压区单元，第三压区单元包含至少一个压区；凸块下金属化层，所述凸块下金属化层的接触端与至少和第一压区和第二压区连接，所述凸块下金属化层上方有焊接凸点；钝化层，所述钝化层形成于芯片基层的正表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏芯德半导体科技有限公司 一种UBM跨越式晶圆级封装结构
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