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申请/专利权人：东莞新科技术研究开发有限公司
摘要：本发明集成电路的镀膜方法，包括：通过图形转移工艺对集成电路进行蚀刻；以及对蚀刻完成的所述集成电路进行镀膜处理以在所述集成电路的线路上形成镀层；其中，所述镀膜处理包括：控制真空腔室内的真空度为1.1×10‑3Pa至2.5×10‑3Pa，所述镀层的厚度为25‑45nm。形成的镀层可保护集成电路的线路，避免线路在高湿高温的环境下发生信号干扰和金属迁移现象。
主权项：1.一种集成电路的镀膜方法，其特征在于，包括：通过图形转移工艺对集成电路进行蚀刻；以及对蚀刻完成的所述集成电路进行镀膜处理以在所述集成电路的线路上形成镀层；其中，所述镀膜处理包括：控制真空腔室内的真空度为1.1×10-3Pa至2.5×10-3Pa，所述镀层的厚度为25-45nm。
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百度查询： 东莞新科技术研究开发有限公司 集成电路的镀膜方法
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