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申请/专利权人：美国亚德诺半导体公司
摘要：本公开涉及具有栅极电流分流能力的晶体管组件及其相关方法。一种具有栅极电流分流能力的晶体管组件包括第一场效应晶体管FET、第一上拉电流源、第一下拉电流源、第一开关器件、控制电路、电容器和第二FET。第一FET是包括第一栅极、第一漏极和第一源极的N沟道FET。第一漏极电耦合到第一电源。上拉电流源和下拉电流源中的每一个都电耦合到第一栅极。第一开关器件与第一下拉电流源串联电耦合，并由第一控制信号控制。控制电路至少部分地由第二电源供电，并产生第一控制信号。在晶体管组件的预功率操作状态期间，电容器和第二FET共同将电流从第一栅极分流开。
主权项：1.一种具有栅极电流分流能力的晶体管组件，包括：第一场效应晶体管FET，包括第一栅极、第一漏极和第一源极，所述第一FET是N沟道FET，并且所述第一漏极电耦合到第一电源；第一上拉电流源，电耦合到所述第一栅极；第一下拉电流源，电耦合到所述第一栅极；第一开关器件，与所述第一下拉电流源串联电耦合，所述第一开关器件被配置为由第一控制信号控制；控制电路，至少部分地由第二电源供电并且被配置为生成所述第一控制信号以控制所述第一FET的操作状态；和电容器和第二FET，共同配置为在所述晶体管组件的预功率操作状态期间将电流分流离开所述第一栅极，所述晶体管组件的预功率操作状态至少部分地由a所述第一电源是有源的和b所述第二电源是无源的来表征。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美国亚德诺半导体公司 具有栅极电流分流能力的晶体管组件及其相关方法
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