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申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要：本发明提供一种基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法，场效应晶体管包括依次层叠的基底、绝缘层及半导体顶层，半导体顶层上形成有条形栅极，条形栅极两侧分别形成有第一极与第二极，第一极为源极与漏极中的一个，第二极为源极与漏极中的另一个，绝缘层中形成有环形空腔，环形空腔在垂直投影方向上包围第一极，条形栅极位于环形空腔的一个边腔上方，边腔的宽度大于、等于或小于条形栅极的宽度，且边腔在垂直投影方向上完全覆盖条形栅极。本发明在源区或及漏区下方引入环型空腔，且环型空腔的一边腔在垂直投影方向上完全覆盖条形栅极，可以彻底消除绝缘层导电沟道重叠构成的侧边结构，消除漏电通道，可大大提高抗总剂量辐照性能。
主权项：1.一种基于空腔包围结构的场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括步骤：1提供依次层叠的基底、绝缘层及半导体顶层，所述绝缘层中具有环形空腔；2于所述半导体顶层上形成条形栅极，所述条形栅极位于所述环形空腔的一个边腔上方，所述边腔的宽度大于、等于或小于所述条形栅极的宽度，且所述边腔在垂直投影方向上完全覆盖或部分覆盖所述条形栅极；3于所述条形栅极两侧的半导体顶层中分别形成第一极与第二极，所述环形空腔在垂直投影方向上包围所述第一极，其中，所述第一极为源极与漏极中的一个，所述第二极为源极与漏极中的另一个。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 基于空腔包围结构的场效应晶体管及制备方法
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