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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：基底，基底内具有相邻的阱区和掺杂区，以及位于掺杂区远离阱区一侧的隔离结构；栅极结构，位于阱区和掺杂区交界处的基底上；掺杂层，位于栅极结构一侧的掺杂区上以及隔离结构上，掺杂层中的掺杂离子的导电类型与掺杂区中的掺杂离子导电类型相同，掺杂层和掺杂区共同作为漂移区；源区，位于栅极结构一侧的阱区内；漏区，位于隔离结构上的掺杂层内。本发明实施例将掺杂层和掺杂区共同作为漂移区，掺杂层位于部分区域的隔离结构上，因此有利于减小LDMOS占用基底表面的面积，提高半导体结构的面积利用效率，使得LDMOS的集成度较高。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底内具有相邻的阱区和掺杂区，以及位于所述掺杂区远离所述阱区一侧的隔离结构，所述掺杂区内的掺杂离子类型与所述阱区内的掺杂离子类型不同；栅极结构，位于所述阱区和掺杂区交界处的所述基底上；掺杂层，位于所述栅极结构一侧的所述掺杂区上以及所述隔离结构上，所述掺杂层中的掺杂离子的导电类型与掺杂区中的掺杂离子导电类型相同，所述掺杂层和所述掺杂区共同作为漂移区；源区，位于所述栅极结构一侧的所述阱区内；漏区，位于所述隔离结构上的所述掺杂层内，漏区位于所述掺杂层背离所述栅极结构的顶部，且所述漏区的底部和所述隔离结构相间隔。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 半导体结构及其形成方法
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